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重庆500千伏永川输变电工程计划于今年5月底投运

亲子教育2025-07-03 11:48:19948

重庆500千伏永川输变电工程计划于今年5月底投运

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伏永这一结果由SI-XPS和TAS结果进一步证实。川输构建直接Z型的关键在于对界面电荷传输路径的精确控制。

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图4.光催化性能分析BiVO4/C3N4样品的(a)XRD,变电(b-c)HRTEM及EELS面扫,(d)瞬态荧光,(e)EIS及(f)纯水分解性能分析结果本文由ScienceBulletin期刊投稿。利用紫外光电子能谱(UPS)计算结果说明,工程随着氧缺陷含量和电子供体浓度的降低,BiVO4的功函数逐渐增大。对VK-edge的扩展边X射线吸收精细谱(XAFS)进行R空间拟合,计划结果表明,计划V–O第一配位壳层强度从BiVO4-170到BiVO4-100逐渐增大,且平均V–O键长略有增加,说明氧缺陷浓度逐渐降低。

重庆500千伏永川输变电工程计划于今年5月底投运

于今月底XRD结果表明所有样品均为单斜白钨矿晶相。BiVO4-100的vs(V–O)拉曼特征信号在约812.6cm-1处,投运相对于BiVO4-170和BiVO4-150向低频方向移动,投运由此计算得到BiVO4-170的V–O键长为1.70Å,而BiVO4-100的V–O键长为1.71Å。

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图1.BiVO4氧缺陷调控BiVO4样品的(a)XRD,重庆(b)Raman,重庆(c)EPR,(d)XAFS,(e)PAS,(f-i)XPS分析结果氧空位产生电子供体,供体浓度的变化将进一步改变半导体的功函数。

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